海迪科（南通）光电科技有限公司 main business:研发、生产、销售：LED芯片、图形化蓝宝石衬底片、外延片、光电设备及配件；提供相关技术咨询服务；合同能源管理服务；照明亮化系统工程的设计、安装、调试、维修，光电设备的安装、维修；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2012年11月01日
- 孙智江(SUN ZHIJIANG)
- 11567.590000
- 2012年11月01日 至 2042年10月31日
- 如皋市市场监督管理局
- 2016年07月05日
- 如皋市桃园镇育华村34组
- 研发、生产、销售：LED芯片、图形化蓝宝石衬底片、外延片、光电设备及配件；提供相关技术咨询服务；合同能源管理服务；照明亮化系统工程的设计、安装、调试、维修，光电设备的安装、维修；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | http://www.hdkleds.com/ |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103871844B | 用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法 | 2017.04.05 | 本发明公开了一种用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法，包括如下步骤：提供F基等离子体；针对F |
| 2 | CN103117344B | LED发光器件及其制备方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种LED发光器件，包括半导体衬底，衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN |
| 3 | CN104009139B | 区域光子晶体发光二极管器件 | 2016.08.24 | 本发明涉及一种区域光子晶体发光二极管结构，该发光二极管结构自下而上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱 |
| 4 | CN103855266B | 波浪纹型蓝宝石衬底及其制备方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种波浪纹型蓝宝石衬底，波浪纹型蓝宝石衬底的平坦表面上等距离规则排列若干凸起的周期图形， |
| 5 | CN103117343B | 具有反射镜结构的LED发光器件及其制备方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种具有反射镜结构的LED发光器件，包括具有缓冲层的半导体衬底外延片，半导体衬底上预定区 |
| 6 | CN205141003U | 具有导电DBR反射镜的LED倒装芯片 | 2016.04.06 | 本实用新型公开了一种具有导电DBR反射镜的LED倒装芯片，本实用新型具有导电DBR反射镜的LED倒装 |
| 7 | CN105449054A | LED芯片的精确定位方法 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种LED芯片的精确定位方法，包括如下步骤：S1：由分选机将切割后的LED芯片按照测试后 |
| 8 | CN105261684A | 具有间断式CBL的LED结构 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底（1）、N型GaN层（2）、量子阱 |
| 9 | CN204905227U | 分体式PSS刻蚀托盘治具 | 2015.12.23 | 本实用新型公开了一种分体式PSS刻蚀托盘治具，包括托盘、由石英材料制成的盖板以及复数个由金属材料制成 |
| 10 | CN104979251A | 整体式PSS刻蚀托盘治具 | 2015.10.14 | 本发明公开了一种整体式PSS刻蚀托盘治具，包括整体式托盘与由金属材料制成的压环，所述的整体式托盘上排 |
| 11 | CN104009135A | 新型阵列LED高压芯片及其制备方法 | 2014.08.27 | 本发明涉及一种新型阵列LED高压芯片，包括衬底、N型GaN限制层、量子阱和P型GaN限制层，所述的衬 |
| 12 | CN104009139A | 区域光子晶体发光二极管器件 | 2014.08.27 | 本发明涉及一种区域光子晶体发光二极管结构，该发光二极管结构自下而上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱 |
| 13 | CN203746856U | 新型倒装高压芯片外延片 | 2014.07.30 | 本实用新型公开了一种新型倒装高压芯片外延片，包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟 |
| 14 | CN203746822U | 带有双周期图形的蓝宝石衬底 | 2014.07.30 | 本实用新型公开了一种带有双周期图形的蓝宝石衬底，该蓝宝石衬底表面相互嵌套地设置有用于生长初级缓冲层的 |
| 15 | CN203746890U | 波浪纹型蓝宝石衬底 | 2014.07.30 | 本实用新型公开了一种波浪纹型蓝宝石衬底，波浪纹型蓝宝石衬底的平坦表面上等距离规则排列若干凸起的周期图 |
| 16 | CN103871844A | 用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法，包括如下步骤：提供F基等离子体；针对F |
| 17 | CN103872195A | 新型倒装高压芯片外延片 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种新型倒装高压芯片外延片，包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽相 |
| 18 | CN103855266A | 波浪纹型蓝宝石衬底及其制备方法 | 2014.06.11 | 本发明公开了一种波浪纹型蓝宝石衬底，波浪纹型蓝宝石衬底的平坦表面上等距离规则排列若干凸起的周期图形， |
| 19 | CN102903813B | 集成图形阵列高压LED器件的制备方法 | 2014.04.02 | 本发明公开了一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法，包括如下工艺步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有 |
| 20 | CN203071125U | 具有反射镜结构的LED发光器件 | 2013.07.17 | 本实用新型公开了一种具有反射镜结构的LED发光器件，包括具有缓冲层的半导体衬底外延片，半导体衬底上预 |
| 21 | CN203071118U | LED发光器件 | 2013.07.17 | 本实用新型公开了一种LED发光器件，包括半导体衬底，衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型G |
| 22 | CN103117344A | LED发光器件及其制备方法 | 2013.05.22 | 本发明公开了一种LED发光器件，包括半导体衬底，衬底上依次形成有N型GaN层、外延发光层和P型GaN |
| 23 | CN103117343A | 具有反射镜结构的LED发光器件及其制备方法 | 2013.05.22 | 本发明公开了一种具有反射镜结构的LED发光器件，包括具有缓冲层的半导体衬底外延片，半导体衬底上预定区 |
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